集成電路用12英寸高純銅鋁靶材
文章來源：中(zhong)國有研科技集團(tuan)有限公(gong)司 發布(bu)時(shi)間：2025-03-01
【成果簡介】
集成電路用12英寸高純鎳鉑靶是65-28nm特征尺寸大規模集成電路用關鍵材料，形成NiSi化合物，代替硅化鈷用于集成電路柵極、源/漏極區接觸層，可提高溝道內載流子遷移率，降低器件阻抗與功耗，提升驅動電流、頻率響應和操作速度。隨著電子器件微細化及高集成度技術的發展，對靶材的純度、微觀組織、磁性能、焊接性能等的精細化控制要求越來越高。
有研億金通過自主創新，掌握了12英寸高純鎳鉑材料制備的核心技術，產品實現批量化生產，最終形成具有我國自主知識產權的集成電路芯片用高純鎳鉑靶材制造技術及批量生產能力，靶材技術成熟度達到9級。
【主要指標】
（一）純度：4N5
（二）氧含量：≤100ppm
（三）晶粒尺寸：≤100μm
（四）焊合率：≥97%
【應用推廣需求】
（一）應用推廣方式：銷售
（二）應用推廣領域：集成電路行業芯片制造企業
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人：王琳，18811215609，wanglin@grinm.com
成果聯系人：羅俊峰，13581933391，ljf@grikin.com
【責任(ren)編輯：賈(jia)建慧】
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