SiC MOSFET器件及系列化產品
文章來源：華(hua)潤（集團(tuan)）有(you)限公司 發布時間：2025-02-28
【成果簡介】
SiC MOSFET較傳統Si基MOSFET器件有更高的耐壓水平，更低的漏電，更快速的開關以及優秀的體二極管恢復特性，使SiC MOSFET器件可以工作在更高工作頻率下，比Si材料具有更高的禁帶寬度及高熱導率特性，使SiC MOSFET器件可以工作在更高溫度結溫環境下。
目前華潤微電子SiC MOSFET產品平臺，通過優化正面元胞結構，大大降低了Rdson電阻，同時在P阱區之間JFET中部反向耐壓電場也得到明顯改善，提高了器件工作可靠性。對比國際頭部企業技術產品，目前在該平臺上的系列產品在耐壓能力、導通特性、短路及浪涌能力等方面，全面達到同等水平，產品性能處于國內領先、國際先進的水平。
【主要指標】
（一）擊穿電壓：＞1200V
（二）電流：30A
（三）導通電阻：＜90mΩ
【應用推廣需求】
（一）應用推廣方式：銷售
（二）應用推廣領域：新能源汽車、充電樁、光伏逆變、高端電源等
【成果圖片】
產品照片
應用場景照片
【聯系人】
集團聯系人：楊華勝，15901036652，yanghuasheng3@crc.com.hk
成果聯系人：孫永生，15261528595，sunyongsheng1@crmicro.com
【責任編輯：梁詠(yong)詩】
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