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【成果簡介】

SiC JBS較傳統Si二極管器件有更高的耐壓水平，更低的漏電以及近乎為“零”的優秀反向恢復，使SiC JBS器件可以工作在更高工作頻率下，比Si更高的材料禁帶寬度及高熱導率特性，使SiC JBS器件可以工作在更高結溫環境下。

華潤微最新的G2 SiC JBS平臺是自主開發的第四代精細元胞結構及超薄減薄工藝平臺，通過優化元胞及終端設計，配合超薄SiC襯底減薄，在降低Vf典型值10%的情況下，芯片面積較前一代縮小20%，同時搭配多層鈍化和激光劃片技術，產品可靠性達到工規+，其典型產品通過車規可靠性摸底。目前G2平臺系列產品在浪涌能力相同的情況下，反向耐壓及正向導通特性已達到國際頭部企業技術水平，其產品性能處于國內領先、國際先進。

【主要指標】

（一）擊穿電壓V_BR：＞650V

（二）反向漏電I_R：＜50uA

（三）正向壓降V_F：＜1.5V

【應用推廣需求】

（一）應用推廣方式：銷售

（二）應用推廣領域：新能源汽車、充電樁、光伏逆變、高端電源等

【成果圖片】

產品照片

產品應用場景照片

【聯系人】

集團聯系人：楊華勝，15901036652，yanghuasheng3@crc.com.hk

成果聯系人：孫永生，15261528595，sunyongsheng1@crmicro.com

【責任編輯：梁(liang)詠詩】