SiC MOSFET
文章來源：中(zhong)國(guo)電(dian)子科技集團有限公司 發布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核心電子(zi)元(yuan)器件
【中央企業名稱】中國電子(zi)科技集團(tuan)有限公司
【成果簡介】SiC MOSFET在(zai)電(dian)力變換(huan)電(dian)路中作(zuo)為開(kai)關管被使(shi)用(yong)(yong)，適用(yong)(yong)于高(gao)壓大電(dian)流工況。用(yong)(yong)SiC MOSFET代替硅超(chao)結MOS或IGBT，可顯著提高(gao)系統的開(kai)關頻(pin)率，降低系統的損耗，同(tong)時可以簡化電(dian)路拓撲、減小系統尺寸(cun)。中國電(dian)子(zi)科技集團公司第五(wu)(wu)十五(wu)(wu)研(yan)究(jiu)所自(zi)主研(yan)制(zhi)生(sheng)產的WM1A080120L1型SiC MOSFET已(yi)批量應用(yong)(yong)于新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源耐壓VDSmax：1200V
2.驅(qu)動(dong)電壓(ya)：15-20V
3.導(dao)通(tong)電流(liu)ID：36A
4.比導通電阻(zu)：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用(yong)推廣方式：銷(xiao)售
2.應(ying)用推廣(guang)領域：高壓大電(dian)(dian)流的電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子變(bian)換電(dian)(dian)路，如新能源(yuan)汽車、光伏(fu)逆變(bian)、服務器電(dian)(dian)源(yuan)等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果聯(lian)系(xi)人(ren)：劉(liu)強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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