SiC MOSFET
文(wen)章來(lai)源：中(zhong)國電子科技(ji)集團有(you)限公司 發(fa)布(bu)時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域(yu)】核(he)心電子元器件(jian)
【中央(yang)企業名稱】中國電子科技集團有限公司
【成果簡介】SiC MOSFET在電(dian)(dian)力變(bian)換電(dian)(dian)路中(zhong)作為開(kai)關管被使(shi)用，適用于(yu)高(gao)壓(ya)大電(dian)(dian)流工況。用SiC MOSFET代(dai)替硅超結MOS或IGBT，可顯(xian)著(zhu)提高(gao)系統的開(kai)關頻率(lv)，降低系統的損耗(hao)，同時可以簡化電(dian)(dian)路拓撲、減小系統尺寸。中(zhong)國(guo)電(dian)(dian)子科(ke)技集團公司第五十(shi)五研究所自主研制生產的WM1A080120L1型SiC MOSFET已批量應(ying)用于(yu)新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源耐(nai)壓VDSmax：1200V
2.驅動電壓：15-20V
3.導通電流ID：36A
4.比導通電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應(ying)用推廣方(fang)式：銷售
2.應用推(tui)廣(guang)領域：高壓大電(dian)流的電(dian)力電(dian)子變換(huan)電(dian)路(lu)，如(ru)新能源(yuan)汽(qi)車、光伏逆變、服務器電(dian)源(yuan)等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團(tuan)聯系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果(guo)聯系人：劉強(qiang)，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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