文章來源:華潤(集團)有限(xian)公司 發布時間:2018-06-02
16.30V~200V先進中低壓功率MOSFET–SGT系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤(集(ji)團)有限(xian)公司
【技術產品簡介】SGT MOS器(qi)件(jian)是(shi)新一代(dai)MOS型功率器(qi)件(jian),廣(guang)泛應用(yong)于(yu)移(yi)動(dong)通訊、電(dian)動(dong)工具、電(dian)動(dong)車(che)輛(liang)、電(dian)源和電(dian)池控(kong)制、工業(ye)控(kong)制等(deng)領(ling)域,具有(you)良好的應用(yong)前(qian)景。
SGT MOS器件是目前理想的(de)(de)中低壓功率器件,該器件利用電(dian)(dian)荷補償原理能(neng)夠同時獲得(de)極低的(de)(de)導(dao)通電(dian)(dian)阻Ron、柵極電(dian)(dian)荷Qg以(yi)及米勒電(dian)(dian)荷Qgd,能(neng)夠有效(xiao)地(di)降低系統(tong)(tong)的(de)(de)導(dao)通損耗和(he)開關損耗,從而提(ti)升系統(tong)(tong)轉換(huan)效(xiao)率,提(ti)高了功率密度,減(jian)少器件的(de)(de)并聯需求,簡化了系統(tong)(tong)設計。
【產品圖片】

圖1 TO-220產(chan)品

圖2 DFN5x6產品

圖3 電機控制器應(ying)用
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況:相當
價格對比情況:低于
國外技(ji)術產(chan)品(pin)(pin)廠家及名(ming)稱:英飛凌OptiMOS系(xi)列產(chan)品(pin)(pin) / 安森(sen)美(mei)PowerTrench系(xi)列產(chan)品(pin)(pin)
【技術指標】
1.單(dan)位面積導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)Rsp—MOSFET導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)(單(dan)位面積),越低越好:Rsp=33m?.mm2 (100V MOSFET)
2.品質因子FOM—MOSFET Ron*Qg,越低越好:FOM=146m?.nC
17.600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華(hua)潤(集團(tuan))有(you)限公司
【技術產品簡介】600V~1200V溝槽柵FS IGBT(絕緣柵雙極晶(jing)體管(guan)(guan))器(qi)件(jian)結(jie)合了MOSFET(金屬氧化物場(chang)效應功率晶(jing)體管(guan)(guan))和BJT(雙極晶(jing)體管(guan)(guan))的(de)優(you)勢,具有工作(zuo)頻率高(gao)、功率密(mi)度大、導通壓降(jiang)低、熱穩(wen)定性好(hao),同時兼備輸入阻抗高(gao),驅(qu)動簡(jian)單等優(you)點。
經過(guo)長期技術研(yan)發和(he)產(chan)品(pin)(pin)應用積累(lei),600V、1200V分(fen)立器(qi)件IGBT產(chan)品(pin)(pin)已(yi)經完成系列(lie)化,電流分(fen)布(bu)從5A到75A。并廣(guang)泛(fan)推廣(guang)到UPS、光伏逆(ni)變、變頻器(qi)、電機(ji)驅動、電源、電焊機(ji)、電磁加熱等領域。
【產品圖片】

圖1 IGBT晶圓

圖2 IGBT分(fen)立(li)器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況:相當
價格對比情況:低于
國外(wai)技術產品廠家及(ji)名稱:上海賽治:FC-AE MC100芯(xin)片
【技術指標】
1.VBR(CES)(V)—正向阻(zu)斷能(neng)力(耐壓):1200V
2.VGE(th) (V) —閾(yu)值電壓:5.5V
3.VCEsat(V) —正向導通壓降:1.9V
18.硅基高速光耦系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華(hua)潤(集團)有(you)限公(gong)司
【技術產品簡介】硅基(ji)高(gao)速光(guang)耦(ou),是(shi)(shi)高(gao)端光(guang)電耦(ou)合(he)(he)器件,用于(yu)輸入與輸出間互(hu)相(xiang)隔離,具(ju)有(you)良(liang)好的電絕(jue)緣能力和抗干擾能力,還有(you)很強的共(gong)模抑(yi)制能力,廣(guang)泛(fan)用于(yu)電氣絕(jue)緣、電平轉(zhuan)換、級間耦(ou)合(he)(he)、通信設備(bei)及(ji)微機接口(kou)中;光(guang)耦(ou)合(he)(he)器中的核心的器件是(shi)(shi)光(guang)接收(shou)芯片。華潤微電子具(ju)備(bei)從100K~15Mbd的系列高(gao)速光(guang)耦(ou)芯片,性能優越,是(shi)(shi)國產(chan)光(guang)耦(ou)類產(chan)品的領軍者。
【產品圖片】

圖1 產品圖片

圖2 應用實例

圖3 應用場景
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況:相當
價格對比情況:低于
國外(wai)技(ji)術產(chan)品廠家(jia)及名稱(cheng): Broadcom、Toshiba等廠家(jia)的6N13x等
【技術指標】
1.tPHL—高到(dao)低電平傳輸(shu)延遲:<30ns
2.tPLH—低到高電平傳輸(shu)延遲:<40ns
3.PWD—脈寬失真:<15ns
