600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
文章來(lai)源：華(hua)潤（集(ji)團）有限公司(si) 發布時(shi)間：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽柵(zha)FS IGBT及配(pei)套FRD
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業(ye)名稱(cheng)】華潤（集團）有限公司
【技術產品(pin)簡介】600V~1200V溝(gou)槽柵FS IGBT(絕(jue)緣柵雙極晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管）器件結合了MOSFET(金屬氧化物場效應功率晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管)和BJT(雙極晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管)的優勢(shi)，具有工作頻率高、功率密度大、導(dao)通壓降低、熱穩定性好，同時兼備輸入阻抗高，驅動簡單等(deng)優點。
經過長期(qi)技術研發(fa)和產品應用積累(lei)，600V、1200V分立器(qi)件IGBT產品已經完成(cheng)系(xi)列化，電流分布(bu)從5A到(dao)75A。并廣(guang)泛推廣(guang)到(dao)UPS、光(guang)伏逆變、變頻器(qi)、電機驅動、電源、電焊機、電磁加(jia)熱等(deng)領(ling)域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分(fen)立器(qi)件
圖3 UPS
圖4 焊機
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正(zheng)向(xiang)阻斷能力（耐壓(ya)）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電壓(ya)：5.5V
3．VCEsat(V) —正向導通壓降(jiang)：1.9V
聯系(xi)人：陳鈞 聯系(xi)電話：13701510700
【責任編輯：家正】
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