免费菠萝视频app下载

6．1200V SiC MOSFET器件

【所屬(shu)領域】核心電子(zi)元器件(jian)

【中央企業名稱】中國電子科技(ji)集團有限公司

【技術(shu)產品簡介】1200V SiC MOSFET系(xi)列(lie)產品導通電(dian)阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封(feng)裝外形為(wei)TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等(deng)，聚焦于光伏逆變(bian)器、充電(dian)樁、開(kai)關電(dian)源、UPS、電(dian)機(ji)驅動(dong)器、儲(chu)能、車載電(dian)源、汽車DC-DC等(deng)應用，在(zai)軍用武器裝備(bei)系(xi)統、導彈、火箭電(dian)氣設備(bei)系(xi)統等(deng)也(ye)有(you)廣泛(fan)應用。

芯片(pian)工藝技術(shu)上，基(ji)于自主6英寸晶圓線，采用(yong)已經得到(dao)廣(guang)泛應(ying)用(yong)驗證(zheng)的(de)(de)Planner工藝，滿足應(ying)用(yong)魯棒性(xing)要求，器(qi)件可靠、強固。55所是國內(nei)首家實現SiC MOSFET產品研制和批量生產的(de)(de)企(qi)業，達(da)到(dao)國內(nei)外廣(guang)泛應(ying)用(yong)的(de)(de)主流SiC MOSFET技術(shu)水平，填補了國內(nei)空白。采用(yong)SiC MOSFET器(qi)件的(de)(de)電路，通過提(ti)升開關頻率，將(jiang)顯著無(wu)源器(qi)件、散熱器(qi)的(de)(de)體積(ji)和數量，從而減少物料單(BOM)成分以及(ji)增加功(gong)率密度。

【產品圖片】

圖1 SiC MOSFET晶圓

圖2 SiC MOSFET封(feng)裝器件

圖(tu)3 SiC MOSFET應用

【與(yu)國外同類(lei)技術產品(pin)對比情(qing)況】

技術對比情況：相當

價格對比情況：相當

國(guo)外技術產品廠(chang)家(jia)及名稱：美(mei)國(guo)Cree公司C2M系列(lie) SiC MOSFET

【技術指標】

1．擊穿(chuan)電壓(ya)—器件阻斷狀態下能夠承(cheng)受的(de)最(zui)大電壓(ya)：1200V

2．閾值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)—柵(zha)壓(ya)(ya)(ya)大于(yu)閾值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)器(qi)件(jian)開(kai)通，低于(yu)閾值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)器(qi)件(jian)關斷：2.6V

3．導(dao)通電阻—工作柵壓下，器件達到額定電流時(shi)的(de)導(dao)通電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ

【責任編輯：家正】