文章(zhang)來源：華(hua)潤（集團）有限公司 發(fa)布時間：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
【所(suo)屬領域】核(he)心電(dian)子元器件
【中(zhong)央企業名稱】華潤（集團(tuan)）有限公司(si)
【技術產品簡介(jie)】600V~1200V溝槽柵FS IGBT(絕(jue)緣(yuan)柵雙極(ji)晶(jing)體管）器件結合(he)了MOSFET(金屬氧化物場效應功率晶(jing)體管)和BJT(雙極(ji)晶(jing)體管)的優勢，具有工作頻(pin)率高、功率密(mi)度(du)大、導通(tong)壓降低、熱(re)穩定性好，同時兼備輸(shu)入阻抗高，驅(qu)動(dong)簡單(dan)等優點。
經過長期技術研發和(he)產品(pin)應(ying)用積(ji)累，600V、1200V分(fen)立器件IGBT產品(pin)已經完(wan)成系列化，電(dian)(dian)流分(fen)布從5A到75A。并廣(guang)(guang)泛(fan)推(tui)廣(guang)(guang)到UPS、光伏逆變(bian)、變(bian)頻器、電(dian)(dian)機驅動(dong)、電(dian)(dian)源、電(dian)(dian)焊機、電(dian)(dian)磁加熱等領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分(fen)立器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情(qing)況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術產品廠家及名(ming)稱：上海賽(sai)治:FC-AE MC100芯片(pian)
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向阻斷能力(li)（耐壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電(dian)壓：5.5V
3．VCEsat(V) —正(zheng)向導通壓降：1.9V
【責任編輯：家正】
