文章來(lai)源：華潤(run)（集團）有限公(gong)司 發(fa)布時間(jian)：2022-05-21
16．30V~200V先進中低壓功(gong)率MOSFET–SGT系列產(chan)品(pin)
【所屬(shu)領域】核心電子元器件
【中(zhong)央企業名稱】華潤（集團(tuan)）有限公司
【技術(shu)產品簡介】SGT MOS器件是新(xin)一代MOS型(xing)功率器件，廣泛應(ying)用(yong)于(yu)移動通訊、電動工具、電動車輛、電源和電池控制、工業控制等領域，具有良好的應(ying)用(yong)前景。
SGT MOS器件是目前理想(xiang)的(de)中(zhong)低壓功率器件,該器件利用電荷(he)補償原理能夠同時獲得極低的(de)導通(tong)電阻Ron、柵極電荷(he)Qg以及(ji)米勒(le)電荷(he)Qgd，能夠有效(xiao)地降低系(xi)統(tong)的(de)導通(tong)損耗和開(kai)關損耗，從而提升系(xi)統(tong)轉換效(xiao)率，提高了功率密(mi)度，減(jian)少器件的(de)并聯需求，簡化(hua)了系(xi)統(tong)設計。
【產品圖片】
圖1 TO-220產品
圖(tu)2 DFN5x6產品
圖3 電機控(kong)制器應用
【與國(guo)外同(tong)類技(ji)術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國(guo)外技(ji)術產(chan)(chan)品(pin)廠家及名稱：英飛凌OptiMOS系列(lie)產(chan)(chan)品(pin) / 安森美PowerTrench系列(lie)產(chan)(chan)品(pin)
【技術指標】
1．單位面(mian)(mian)積導通(tong)電(dian)阻Rsp—MOSFET導通(tong)電(dian)阻（單位面(mian)(mian)積），越低越好：Rsp=33m?.mm2 (100V MOSFET)
2．品質因子FOM—MOSFET Ron*Qg，越低越好：FOM=146m?.nC
【責任編輯：家正】
