文章來源：中國電子科技集團(tuan)有限公司(si) 發布(bu)時間：2022-05-21
6．1200V SiC MOSFET器件
【所(suo)屬(shu)領域】核心電子元器件
【中(zhong)央企業名稱】中(zhong)國(guo)電子(zi)科技集團有限公(gong)司
【技術(shu)產(chan)品簡介】1200V SiC MOSFET系(xi)列產(chan)品導通電(dian)阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝外形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等，聚焦于光伏逆變(bian)器、充(chong)電(dian)樁、開關電(dian)源(yuan)、UPS、電(dian)機(ji)驅動(dong)器、儲能(neng)、車載電(dian)源(yuan)、汽(qi)車DC-DC等應用(yong)(yong)，在軍用(yong)(yong)武器裝備系(xi)統(tong)、導彈(dan)、火(huo)箭(jian)電(dian)氣設備系(xi)統(tong)等也有(you)廣泛應用(yong)(yong)。
芯片工藝(yi)技(ji)術上(shang)，基于自主6英寸晶圓線，采用(yong)已經得到廣泛(fan)應(ying)用(yong)驗證的Planner工藝(yi)，滿足應(ying)用(yong)魯棒(bang)性要求，器件可靠、強(qiang)固(gu)。55所是國內(nei)首(shou)家實現SiC MOSFET產(chan)品(pin)研(yan)制(zhi)和批量生產(chan)的企業，達到國內(nei)外廣泛(fan)應(ying)用(yong)的主流SiC MOSFET技(ji)術水平，填(tian)補了國內(nei)空(kong)白。采用(yong)SiC MOSFET器件的電路，通(tong)過提(ti)升開關頻率(lv)，將顯著無源器件、散熱器的體積和數量，從而減少物料單(BOM)成(cheng)分以及增加功率(lv)密(mi)度。
【產品圖片】
圖1 SiC MOSFET晶圓
圖(tu)2 SiC MOSFET封(feng)裝器件(jian)
圖3 SiC MOSFET應(ying)用
【與國外同類技術(shu)產品對(dui)比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
國外(wai)技術產品廠家及名稱：美國Cree公司C2M系列 SiC MOSFET
【技術指標】
1．擊穿電壓—器件阻斷(duan)狀態下能夠承(cheng)受的(de)最大電壓：1200V
2．閾值(zhi)電(dian)壓—柵壓大于閾值(zhi)電(dian)壓器(qi)件(jian)開通，低(di)于閾值(zhi)電(dian)壓器(qi)件(jian)關斷：2.6V
3．導(dao)通(tong)電阻—工作柵壓(ya)下，器件(jian)達到額定電流時的導(dao)通(tong)電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ
【責任編輯：家正】
