文章(zhang)來(lai)源：中(zhong)國電(dian)子科技集團公司(si) 發布時間：2013-04-06
2012年3月28日，根據中國電子科技集團公司與西安電子科技大學戰略合作協議，針對寬禁帶技術的快速發展，中國電科組織有關單位與西安電子科技大學就寬禁帶技術深入合作進行了洽談。西安電子科技大學校長段寶巖、副校長郝躍和中國電科科技部主任王政、2所所長李子杰、18所所長周春林、48所所長劉濟東等參加洽談。
西電(dian)(dian)與中國電(dian)(dian)科(ke)均(jun)是(shi)國家電(dian)(dian)子科(ke)技發展的(de)優勢力量，雙方(fang)有廣泛的(de)合(he)作(zuo)(zuo)空(kong)間。雙方(fang)具體合(he)作(zuo)(zuo)本著“互(hu)利共(gong)(gong)贏、優勢互(hu)補(bu)”的(de)原(yuan)則，加強產(chan)學研(yan)(yan)(yan)協同攻關，在寬(kuan)禁(jin)帶(dai)技術領域(yu)進行如下四(si)項具體合(he)作(zuo)(zuo)研(yan)(yan)(yan)究：一是(shi)雙方(fang)聯(lian)合(he)開(kai)(kai)(kai)展高溫MOCVD設(she)備的(de)設(she)計(ji)(ji)、制造(zao)(zao)、產(chan)業(ye)化和(he)應用研(yan)(yan)(yan)究；二是(shi)雙方(fang)聯(lian)合(he)開(kai)(kai)(kai)展ALD（原(yuan)子層淀積）設(she)備設(she)計(ji)(ji)、制造(zao)(zao)、產(chan)業(ye)化和(he)應用研(yan)(yan)(yan)究；三是(shi)雙方(fang)聯(lian)合(he)開(kai)(kai)(kai)展寬(kuan)禁(jin)帶(dai)基礎(chu)理論(lun)(lun)、單晶(jing)材料、外延材料、高性能(neng)(neng)器(qi)件設(she)計(ji)(ji)及(ji)工藝研(yan)(yan)(yan)究；四(si)是(shi)雙方(fang)聯(lian)合(he)開(kai)(kai)(kai)展InGaN太陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池基礎(chu)理論(lun)(lun)、材料、器(qi)件設(she)計(ji)(ji)和(he)工藝研(yan)(yan)(yan)究，以共(gong)(gong)同促進我國寬(kuan)禁(jin)帶(dai)技術的(de)快速(su)發展。