文(wen)章來源：中國(guo)建筑工程總公司 發布時間：2015-05-14
5月9日上午，由中國建筑工程總公司所屬中建一局承建的西安三星半導體閃存芯片項目，在西安高新區舉行竣工投產儀式。 該項目的竣工，標志著高端閃存芯片由此正式量產，并將生產世界上最先進的10納米級NAND閃存芯片（V-NAND）。 該(gai)項(xiang)目(mu)刷新(xin)的“陜(shan)西速度(du)”和(he)“西安(an)效率”，提速了西安(an)“21世紀數字絲綢(chou)之(zhi)路”新(xin)起點建設。
打印
關閉窗口
